55GN01MA-TL-E

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Parte del produttore

55GN01MA-TL-E

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - rf
Serie
-
Disponibile
2147483647
Schede tecniche in linea
55GN01MA-TL-E PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:NPN
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):10V
  • frequenza - transizione:4.5GHz ~ 5.5GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):1.9dB @ 1GHz
  • guadagno:10dB @ 1GHz
  • potenza - max:400mW
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 10mA, 5V
  • corrente - collettore (ic) (max):70mA
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SC-70, SOT-323
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:3-MCP
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