BFP182WE6327

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Parte del produttore

BFP182WE6327

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - rf
Serie
-
Disponibile
27000
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:NPN
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):12V
  • frequenza - transizione:8GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • guadagno:22dB
  • potenza - max:250mW
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:70 @ 10mA, 8V
  • corrente - collettore (ic) (max):35mA
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SC-82A, SOT-343
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-SOT343-4
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