BFU660F,115

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Parte del produttore

BFU660F,115

Produttore
NXP Semiconductors
Descrizione
RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - rf
Serie
-
Disponibile
5949
Schede tecniche in linea
BFU660F,115 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:NPN
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):5.5V
  • frequenza - transizione:21GHz
  • figura di rumore (db typ @ f):0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
  • guadagno:12dB ~ 21dB
  • potenza - max:225mW
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:90 @ 10mA, 2V
  • corrente - collettore (ic) (max):60mA
  • temperatura di esercizio:150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SOT-343F
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:4-DFP
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