Name: MT3S111TU,LF
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: MT3S111TU,LF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: MT3S111TU,LF

Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizione: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - bipolare (bjt) - rf

Serie: -

Disponibile: 3372

Schede tecniche in linea: -

MT3S111TU,LF Avviso

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serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo a transistor:NPN
tensione - guasto collettore emettitore (max):6V
frequenza - transizione:10GHz
figura di rumore (db typ @ f):0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
guadagno:12.5dB

potenza - max:800mW
guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
corrente - collettore (ic) (max):100mA
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto / custodia:3-SMD, Flat Lead
pacchetto di dispositivi del fornitore:UFM

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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BLF6G20LS-180RN112 Rochester Electronics	RF POWER TRANSISTORS	Disponibile: 10	$78.18000
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