Name: MT3S113P(TE12L,F)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: MT3S113P(TE12L,F)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: MT3S113P(TE12L,F)

Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descrizione: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - bipolare (bjt) - rf

Serie: -

Disponibile: 1818

Schede tecniche in linea: MT3S113P(TE12L,F) PDF

MT3S113P(TE12L,F) Avviso

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serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo a transistor:NPN
tensione - guasto collettore emettitore (max):5.3V
frequenza - transizione:7.7GHz
figura di rumore (db typ @ f):1.45dB @ 1GHz
guadagno:10.5dB

potenza - max:1.6W
guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 30mA, 5V
corrente - collettore (ic) (max):100mA
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto / custodia:TO-243AA
pacchetto di dispositivi del fornitore:PW-MINI

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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NE696M01-T1 CEL (California Eastern Laboratories)	RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT363	Disponibile: 10.533	$0.49000
MSC2295-CT1 Rochester Electronics	TRANS NPN RF BIPO 20V SC-59	Disponibile: 42.000	$0.04000
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