SBAS116LT1G

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Parte del produttore

SBAS116LT1G

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
2147483647
Schede tecniche in linea
SBAS116LT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):75 V
  • corrente - media rettificata (io):200mA (DC)
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:1.25 V @ 150 mA
  • velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • tempo di recupero inverso (trr):3 µs
  • corrente - dispersione inversa @ vr:5 nA @ 75 V
  • capacità @ vr, f:2pF @ 0V, 1MHz
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SOT-23-3 (TO-236)
  • temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C
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