1N5811TR

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Parte del produttore

1N5811TR

Produttore
Microsemi
Descrizione
DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
93
Schede tecniche in linea
1N5811TR PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bag
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):150 V
  • corrente - media rettificata (io):6A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:875 mV @ 4 A
  • velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):30 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:5 µA @ 150 V
  • capacità @ vr, f:-
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:B, Axial
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:-
  • temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C
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