UJ3D06504TS

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Parte del produttore

UJ3D06504TS

Produttore
UnitedSiC
Descrizione
650V 4A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
22775
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:Gen-III
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Silicon Carbide Schottky
  • tensione - dc inversa (vr) (max):650 V
  • corrente - media rettificata (io):4A (DC)
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:1.7 V @ 4 A
  • velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):0 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:25 µA @ 650 V
  • capacità @ vr, f:118pF @ 1V, 1MHz
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-220-2
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220-2
  • temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 175°C
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