WNSC08650T6J

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Parte del produttore

WNSC08650T6J

Produttore
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descrizione
SILICON CARBIDE POWER DIODE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
3000
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Silicon Carbide Schottky
  • tensione - dc inversa (vr) (max):650 V
  • corrente - media rettificata (io):8A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:1.7 V @ 8 A
  • velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):0 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:50 µA @ 650 V
  • capacità @ vr, f:267pF @ 1V, 1MHz
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:4-VDFN Exposed Pad
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:5-DFN (8x8)
  • temperatura di esercizio - giunzione:175°C (Max)
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