JDH2S02SL,L3F

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Parte del produttore

JDH2S02SL,L3F

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
X34 HIGH FREQUENCY SCHOTTKY BARR
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
7509
Schede tecniche in linea
JDH2S02SL,L3F PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Schottky
  • tensione - dc inversa (vr) (max):10 V
  • corrente - media rettificata (io):10mA (DC)
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:-
  • velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • corrente - dispersione inversa @ vr:25 µA @ 500 mV
  • capacità @ vr, f:0.25pF @ 200mV, 1MHz
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:0201 (0603 Metric)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SL2
  • temperatura di esercizio - giunzione:125°C (Max)
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