1SS193,LF

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Parte del produttore

1SS193,LF

Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrizione
DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
13245
Schede tecniche in linea
1SS193,LF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):80 V
  • corrente - media rettificata (io):100mA
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:1.2 V @ 100 mA
  • velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • tempo di recupero inverso (trr):4 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:500 nA @ 80 V
  • capacità @ vr, f:3pF @ 0V, 1MHz
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:S-Mini
  • temperatura di esercizio - giunzione:125°C (Max)
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