1N3879

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Parte del produttore

1N3879

Produttore
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
768
Schede tecniche in linea
1N3879 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):50 V
  • corrente - media rettificata (io):6A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:1.4 V @ 6 A
  • velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):200 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:15 µA @ 50 V
  • capacità @ vr, f:-
  • tipo di montaggio:Chassis, Stud Mount
  • pacchetto / custodia:DO-203AA, DO-4, Stud
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DO-4
  • temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 150°C
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