FESB16DT-E3/45

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Parte del produttore

FESB16DT-E3/45

Produttore
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Descrizione
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
10000
Schede tecniche in linea
FESB16DT-E3/45 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):200 V
  • corrente - media rettificata (io):16A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:975 mV @ 16 A
  • velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):35 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:10 µA @ 200 V
  • capacità @ vr, f:175pF @ 4V, 1MHz
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-263AB
  • temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 150°C
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