S12J

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Parte del produttore

S12J

Produttore
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
S12J PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):600 V
  • corrente - media rettificata (io):12A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:1.1 V @ 12 A
  • velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • corrente - dispersione inversa @ vr:10 µA @ 50 V
  • capacità @ vr, f:-
  • tipo di montaggio:Chassis, Stud Mount
  • pacchetto / custodia:DO-203AA, DO-4, Stud
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DO-4
  • temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C
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