ESH3C-E3/9AT

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Parte del produttore

ESH3C-E3/9AT

Produttore
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Descrizione
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
ESH3C-E3/9AT PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):150 V
  • corrente - media rettificata (io):3A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:900 mV @ 3 A
  • velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):40 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:5 µA @ 150 V
  • capacità @ vr, f:-
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:DO-214AB, SMC
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DO-214AB (SMC)
  • temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 175°C
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