Name: JAN1N6630US
Brand: Roving Networks / Microchip Technology
SKU: JAN1N6630US
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: JAN1N6630US

Produttore: Roving Networks / Microchip Technology

Descrizione: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: diodi - raddrizzatori - singoli

Serie: -

Disponibile: 0

Schede tecniche in linea: JAN1N6630US PDF

JAN1N6630US Avviso

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serie:Military, MIL-PRF-19500/590
pacchetto:Bulk
stato di parte:Active
tipo di diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):900 V
corrente - media rettificata (io):1.4A
tensione - avanti (vf) (max) @ se:1.4 V @ 1.4 A
velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

tempo di recupero inverso (trr):50 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:2 µA @ 900 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto / custodia:SQ-MELF, E
pacchetto di dispositivi del fornitore:D-5B
temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 150°C

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Raccomandazione per te

Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
MUR810G Rochester Electronics	RECTIFIER DIODE, 8A, 100V, TO-22	Disponibile: 12.240	$0.30000
GI852/MR852 NTE Electronics, Inc.	R-200 PRV 3A	Disponibile: 188	$0.32000
GI1401-E3/45 Vishay General Semiconductor – Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC	Disponibile: 0	$0.53624
HSB123TR-E Rochester Electronics	DIODE FOR HIGH SPEED SWITCHING	Disponibile: 62.700	$0.06000
RURG8080 Rochester Electronics	RECTIFIER DIODE	Disponibile: 703	$2.86000
RUR1570 Rochester Electronics	RECTIFIER DIODE, 15A, 700V	Disponibile: 500	$0.54000
RS5JC-HF Comchip Technology	RECTIFIER FAST RECOVERY 600V 5A	Disponibile: 0	$0.17050
SE12DJHM3/I Vishay General Semiconductor – Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 3.2A TO263AC	Disponibile: 0	$0.48048
CMPD2003 TR PBFREE Central Semiconductor	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23	Disponibile: 24.903	$0.51000
HS3JB M4G TSC (Taiwan Semiconductor)	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA	Disponibile: 0	$0.11969