1N5554US

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Parte del produttore

1N5554US

Produttore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizione
DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
196
Schede tecniche in linea
1N5554US PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):1000 V
  • corrente - media rettificata (io):3A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:1.2 V @ 9 A
  • velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):2 µs
  • corrente - dispersione inversa @ vr:1 µA @ 1000 V
  • capacità @ vr, f:-
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SQ-MELF, B
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:B, SQ-MELF
  • temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 175°C
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