NGB8207BNT4G

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Parte del produttore

NGB8207BNT4G

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
1600
Schede tecniche in linea
NGB8207BNT4G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo igbt:-
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):365 V
  • corrente - collettore (ic) (max):20 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):50 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.6V @ 4V, 20A
  • potenza - max:165 W
  • energia di commutazione:-
  • tipo di ingresso:Logic
  • carica di cancello:-
  • td (acceso/spento) @ 25°c:-
  • condizione di test:-
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D2PAK
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