RGT30NS65DGTL

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Parte del produttore

RGT30NS65DGTL

Produttore
ROHM Semiconductor
Descrizione
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
101281
Schede tecniche in linea
RGT30NS65DGTL PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
  • corrente - collettore (ic) (max):30 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):45 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 15A
  • potenza - max:133 W
  • energia di commutazione:-
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:32 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:18ns/64ns
  • condizione di test:400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):55 ns
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:LPDS (TO-263S)
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