HGTD1N120BNS9A

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Parte del produttore

HGTD1N120BNS9A

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
2625
Schede tecniche in linea
HGTD1N120BNS9A PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:NPT
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
  • corrente - collettore (ic) (max):5.3 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):6 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 15V, 1A
  • potenza - max:60 W
  • energia di commutazione:70µJ (on), 90µJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:14 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:15ns/67ns
  • condizione di test:960V, 1A, 82Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-252AA
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