HGTG11N120CND

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Parte del produttore

HGTG11N120CND

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
50000
Schede tecniche in linea
HGTG11N120CND PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Not For New Designs
  • tipo igbt:NPT
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
  • corrente - collettore (ic) (max):43 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):80 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 11A
  • potenza - max:298 W
  • energia di commutazione:950µJ (on), 1.3mJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:100 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:23ns/180ns
  • condizione di test:960V, 11A, 10Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):70 ns
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247-3
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