FGY75N60SMD

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Parte del produttore

FGY75N60SMD

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
1050
Schede tecniche in linea
FGY75N60SMD PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:Field Stop
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
  • corrente - collettore (ic) (max):150 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):225 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 75A
  • potenza - max:750 W
  • energia di commutazione:2.3mJ (on), 770µJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:248 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:24ns/136ns
  • condizione di test:400V, 75A, 3Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):55 ns
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3 Variant
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PowerTO-247-3
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