NGTB40N120FL2WG

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Parte del produttore

NGTB40N120FL2WG

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
6300
Schede tecniche in linea
NGTB40N120FL2WG PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1.2 V
  • corrente - collettore (ic) (max):80 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 40A
  • potenza - max:535 W
  • energia di commutazione:3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:313 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:116ns/286ns
  • condizione di test:600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):240 ns
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247
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