IRGS10B60KDTRLP

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Parte del produttore

IRGS10B60KDTRLP

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
IGBT WITH RECOVERY DIODE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
278
Schede tecniche in linea
IRGS10B60KDTRLP PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo igbt:NPT
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
  • corrente - collettore (ic) (max):22 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):44 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.2V @ 15V, 10A
  • potenza - max:156 W
  • energia di commutazione:140µJ (on), 250µJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:38 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:30ns/230ns
  • condizione di test:400V, 10A, 47Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):90 ns
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D2PAK
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