APT50GP60B2DQ2G

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Parte del produttore

APT50GP60B2DQ2G

Produttore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizione
IGBT 600V 150A 625W TMAX
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
APT50GP60B2DQ2G PDF
Inchiesta
  • serie:POWER MOS 7®
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Not For New Designs
  • tipo igbt:PT
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
  • corrente - collettore (ic) (max):150 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):190 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 50A
  • potenza - max:625 W
  • energia di commutazione:465µJ (on), 635µJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:165 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:19ns/85ns
  • condizione di test:400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3 Variant
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:-
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