FGY75T120SQDN

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Parte del produttore

FGY75T120SQDN

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT 1200V 75A UFS
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
15000
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:Field Stop
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
  • corrente - collettore (ic) (max):150 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):300 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 75A
  • potenza - max:790 W
  • energia di commutazione:6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:399 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:64ns/332ns
  • condizione di test:600V, 75A, 10Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):99 ns
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247-3
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