IKB30N65ES5ATMA1

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Parte del produttore

IKB30N65ES5ATMA1

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
IKB30N65 - TRENCHSTOPT HIGH SPEE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
900
Schede tecniche in linea
IKB30N65ES5ATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:TrenchStop™ 5
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
  • corrente - collettore (ic) (max):62 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.7V @ 15V, 30A
  • potenza - max:188 W
  • energia di commutazione:560µJ (on), 320µJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:70 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:17ns/124ns
  • condizione di test:400V, 30A, 13Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):75 ns
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D²PAK (TO-263AB)
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