FGA50N100BNTDTU

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Parte del produttore

FGA50N100BNTDTU

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
890
Schede tecniche in linea
FGA50N100BNTDTU PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Last Time Buy
  • tipo igbt:NPT and Trench
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1000 V
  • corrente - collettore (ic) (max):50 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):100 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 15V, 60A
  • potenza - max:156 W
  • energia di commutazione:-
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:275 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:-
  • condizione di test:-
  • tempo di recupero inverso (trr):1.5 µs
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-3P-3, SC-65-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-3P
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