NGTB05N60R2DT4G

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Parte del produttore

NGTB05N60R2DT4G

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
4620
Schede tecniche in linea
NGTB05N60R2DT4G PDF
Inchiesta
  • serie:*
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:-
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):-
  • corrente - collettore (ic) (max):-
  • corrente - collettore pulsato (icm):-
  • vce(on) (max) @ vge, ic:-
  • potenza - max:-
  • energia di commutazione:-
  • tipo di ingresso:-
  • carica di cancello:-
  • td (acceso/spento) @ 25°c:-
  • condizione di test:-
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • temperatura di esercizio:-
  • tipo di montaggio:-
  • pacchetto / custodia:-
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:-
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