FGD3N60UNDF

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Parte del produttore

FGD3N60UNDF

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT 600V 6A 60W DPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
9970
Schede tecniche in linea
FGD3N60UNDF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:NPT
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
  • corrente - collettore (ic) (max):6 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):9 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.52V @ 15V, 3A
  • potenza - max:60 W
  • energia di commutazione:52µJ (on), 30µJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:1.6 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:5.5ns/22ns
  • condizione di test:400V, 3A, 10Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):21 ns
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-252, (D-Pak)
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