FGH50N3

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Parte del produttore

FGH50N3

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
437
Schede tecniche in linea
FGH50N3 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:PT
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):300 V
  • corrente - collettore (ic) (max):75 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.4V @ 15V, 30A
  • potenza - max:463 W
  • energia di commutazione:130µJ (on), 92µJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:180 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:20ns/135ns
  • condizione di test:180V, 30A, 5Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247-3
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