IRGP4750DPBF

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Parte del produttore

IRGP4750DPBF

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
IGBT WITH RECOVERY DIODE
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
10850
Schede tecniche in linea
IRGP4750DPBF PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo igbt:-
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
  • corrente - collettore (ic) (max):70 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):105 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 35A
  • potenza - max:273 W
  • energia di commutazione:1.3mJ (on), 500µJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:105 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:50ns/105ns
  • condizione di test:400V, 35A, 10Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):150 ns
  • temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247AC
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