NGTB50N120FL2WG

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Parte del produttore

NGTB50N120FL2WG

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
IGBT 1200V 100A 535W TO247
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - igbts - singolo
Serie
-
Disponibile
34862
Schede tecniche in linea
NGTB50N120FL2WG PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
  • corrente - collettore (ic) (max):100 A
  • corrente - collettore pulsato (icm):200 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.2V @ 15V, 50A
  • potenza - max:535 W
  • energia di commutazione:4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
  • tipo di ingresso:Standard
  • carica di cancello:311 nC
  • td (acceso/spento) @ 25°c:118ns/282ns
  • condizione di test:600V, 50A, 10Ohm, 15V
  • tempo di recupero inverso (trr):256 ns
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-3
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247
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