STB18N60M6

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Parte del produttore

STB18N60M6

Produttore
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
100000
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:MDmesh™ M6
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):600 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:13A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:280mOhm @ 6.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.75V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:16.8 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±25V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:650 pF @ 100 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:D2PAK
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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