IPD95R1K2P7ATMA1

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Parte del produttore

IPD95R1K2P7ATMA1

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
2470
Schede tecniche in linea
IPD95R1K2P7ATMA1 PDF
Inchiesta
  • serie:CoolMOS™ P7
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):950 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 2.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 140µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:478 pF @ 400 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):52W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO252-3
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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