VP2206N3-G-P003

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Parte del produttore

VP2206N3-G-P003

Produttore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
VP2206N3-G-P003 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:640mA (Tj)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:900mOhm @ 3.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 10mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:450 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):740mW (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-92-3
  • pacchetto / custodia:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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