NVC6S5A354PLZT1G

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Parte del produttore

NVC6S5A354PLZT1G

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
10003000
Schede tecniche in linea
NVC6S5A354PLZT1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:100mOhm @ 2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.6V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 20 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.9W (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:6-CPH
  • pacchetto / custodia:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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