FQPF33N10L

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Parte del produttore

FQPF33N10L

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
105000
Schede tecniche in linea
FQPF33N10L PDF
Inchiesta
  • serie:QFET®
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):100 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:52mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 5 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1630 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):41W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220F
  • pacchetto / custodia:TO-220-3 Full Pack
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