ISP75DP06LMXTSA1

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Parte del produttore

ISP75DP06LMXTSA1

Produttore
IR (Infineon Technologies)
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
202200
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:OptiMOS™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.1A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:750mOhm @ 1.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 77µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:4 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:120 pF @ 30 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-SOT223-4
  • pacchetto / custodia:TO-261-4, TO-261AA
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