2N7002E-T1-GE3

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Parte del produttore

2N7002E-T1-GE3

Produttore
Vishay / Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
100000
Schede tecniche in linea
2N7002E-T1-GE3 PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):60 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:240mA (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:3Ohm @ 250mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:0.6 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:21 pF @ 5 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):350mW (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-236
  • pacchetto / custodia:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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