FDB0190N807L

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Parte del produttore

FDB0190N807L

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
47217
Schede tecniche in linea
FDB0190N807L PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):80 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:270A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):8V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:1.7mOhm @ 34A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:249 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:19110 pF @ 40 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 250W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-263-7
  • pacchetto / custodia:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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