Name: IPB036N12N3GATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB036N12N3GATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: IPB036N12N3GATMA1

Produttore: IR (Infineon Technologies)

Descrizione: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 125000

Schede tecniche in linea: IPB036N12N3GATMA1 PDF

IPB036N12N3GATMA1 Avviso

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serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):120 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:180A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:3.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 270µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:211 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:13800 pF @ 60 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-TO263-7
pacchetto / custodia:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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