NP36P04SDG-E1-AY

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Parte del produttore

NP36P04SDG-E1-AY

Produttore
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
10096
Schede tecniche in linea
NP36P04SDG-E1-AY PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):40 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:36A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:17mOhm @ 18A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:55 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2800 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.2W (Ta), 56W (Tc)
  • temperatura di esercizio:175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-252 (MP-3ZK)
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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