STQ2HNK60ZR-AP

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Parte del produttore

STQ2HNK60ZR-AP

Produttore
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
700000
Schede tecniche in linea
STQ2HNK60ZR-AP PDF
Inchiesta
  • serie:SuperMESH™
  • pacchetto:Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):600 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:500mA (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:4.8Ohm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 50µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:280 pF @ 25 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-92-3
  • pacchetto / custodia:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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