CSD25213W10

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Parte del produttore

CSD25213W10

Produttore
Texas
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
600000
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:NexFET™
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):20 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.6A (Ta)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):2.5V, 4.5V
  • rds su (max) @ id, vgs:47mOhm @ 1A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.1V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:2.9 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):-6V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:478 pF @ 10 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:4-DSBGA (1x1)
  • pacchetto / custodia:4-UFBGA, DSBGA
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