G3R350MT12J

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Parte del produttore

G3R350MT12J

Produttore
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
664
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:G3R™
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain to source tensione (vdss):1200 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):15V
  • rds su (max) @ id, vgs:420mOhm @ 4A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id:2.69V @ 2mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 15 V
  • vg (massimo):±15V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:334 pF @ 800 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):75W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-263-7
  • pacchetto / custodia:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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