NTD4809NA-35G

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Parte del produttore

NTD4809NA-35G

Produttore
Rochester Electronics
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
2840
Schede tecniche in linea
NTD4809NA-35G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Obsolete
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):30 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9.6A (Ta), 58A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):4.5V, 11.5V
  • rds su (max) @ id, vgs:9mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 4.5 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.456 pF @ 12 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):1.3W (Ta), 52W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:I-PAK
  • pacchetto / custodia:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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