Name: IPN60R360P7SATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPN60R360P7SATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del produttore: IPN60R360P7SATMA1

Produttore: IR (Infineon Technologies)

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223

Categoria: prodotti a semiconduttori discreti

Famiglia: transistor - fet, mosfet - singoli

Serie: -

Disponibile: 9819

Schede tecniche in linea: IPN60R360P7SATMA1 PDF

IPN60R360P7SATMA1 Avviso

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serie:CoolMOS™ P7
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato di parte:Active
tipo di piedi:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
drain to source tensione (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9A (Tc)
tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
rds su (max) @ id, vgs:360mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 140µA

addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
vg (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:555 pF @ 400 V
caratteristica dei piedi:-
dissipazione di potenza (max):7W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto di dispositivi del fornitore:PG-SOT223
pacchetto / custodia:TO-261-3

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Numero di parte	Descrizione	Azione	Prezzo unitario
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SCT3160KLGC11 ROHM Semiconductor	SICFET N-CH 1200V 17A TO247N	Disponibile: 44.430 Su ordine: 44.430	$10.00000
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FDMC8010DC Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN	Disponibile: 1.800.000 Su ordine: 1.800.000	$2.62000
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IRLML2402TRPBF IR (Infineon Technologies)	MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23	Disponibile: 532.959 Su ordine: 532.959	$0.04515
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STB24N60DM2 STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK	Disponibile: 11.800 Su ordine: 11.800	$20.00000