FCP099N65S3

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Parte del produttore

FCP099N65S3

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
5600
Schede tecniche in linea
FCP099N65S3 PDF
Inchiesta
  • serie:SuperFET® III
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):650 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:99mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 3mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:61 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2480 pF @ 400 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):227W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220-3
  • pacchetto / custodia:TO-220-3
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