G2R120MT33J

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Parte del produttore

G2R120MT33J

Produttore
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
SIC MOSFET N-CH TO263-7
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
82
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:G2R™
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain to source tensione (vdss):3300 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:35A
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):20V
  • rds su (max) @ id, vgs:156mOhm @ 20A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:145 nC @ 20 V
  • vg (massimo):+25V, -10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3706 pF @ 1000 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):-
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-263-7
  • pacchetto / custodia:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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